Проектирование ЭКБ

В составе ОАО "ИНТЕГРАЛ" действует научно-технический центр, основным направлением деятельности которого являются  разработка микросхем и полупроводниковых приборов, технологических маршрутов изготовления, производство ЭКБ малыми сериями на производственных линиях ОАО «Интеграл», оказание услуг по разработке сторонним компаниям при работе по фаблесс модели, в том числе по корпусированию, измерениям, испытаниям и изготовлению оснастки, консультационные услуги в области микроэлектроники.

Научно-Технический Центр специализируется на разработке следующих классов изделий:

- микросхем стандартных логических серий

- микросхем памяти статической, энергонезависимой - однократно программируемой и перепрограммируемой

- интерфейсных микросхем стандартов RS, LVDS, CAN, Манчестерского кода

- микроcхем управления питанием, стабилизаторы и регуляторы напряжения, DC/DC преобразователи, мониторы питания

- операционных усилителей, источников опорного напряжения

- температурных датчиков и сенсоров

- драйверов MOSFET, LED

- кварцевых генераторов, времязадающих и часовых микросхемы

- дискретных полупроводниковых приборов

- изделий оптоэлектроники (фотодиодов, кремниевых фотоумножителей, ИК-датчиков)

- разработка оснастки для измерений и испытаний

На основе технического задания или спецификации заказчиков, а так же указанных аналогов НТЦ производит разработку электрических схем, топологии, обеспечивает изготовление фотошаблонов, изготовление пластин, их измерение, корпусирование кристаллов и финишные измерения и испытания приборов. Это обеспечивает предоставление нашим Заказчикам и партнерам услуг с оптимальным соотношением по цене, срокам выполнения и высокому качеству работы.

Нами выполняются следующие виды услуг:

· разработка и изготовление аналоговых, цифровых и аналогово-цифровых интегральных схем

· разработка и верификация топологии;

· изготовление фотошаблонов

· разработка цифровых блоков с возможностью их последующей реализации на ПЛИС;

· разработка и изготовление дискретных полупроводниковых приборов

· обратное проектирование;

· разработка гибридных микросхем;

· сборка интегральных микросхем, сборка гибридных микросхем,

· измерение и аттестация параметров интегральных микросхем.

В настоящее время в НТЦ  работают высококвалифицированные специалисты, включая специалистов с опытом разработки более 20 лет.

 В состав Центра входят следующие подразделения:

· отделение разработки цифровых и аналоговых микросхем;

· отделение разработки дискретных полупроводниковых приборов и технологических процессов;

· отдел программно-аппаратных средств;

· опытно-измерительный центр;

· центр электронной техники. 

Разработанные изделия могут поставляться в виде опытных образцов с предоставлением результатов измерений и испытаний, а так же осваиваться в серийном производстве ОАО «ИНТЕГРАЛ» и поставляться в виде товарной продукции с прохождение полного цикла испытаний сертификации и полным комплектом технической документации.

Отраслевая лаборатория новых технологий и материалов

В составе Научно-технического центра действует отраслевая лаборатория новых технологий и материалов, основными задачами которой являются выполнение научно-исследовательских, опытно-конструкторских и опытно-технологических работ, разработка новых высокоэффективных технологических процессов (опытных образцов) в чистых помещениях с классами чистоты 100 и 1000. Лаборатория оснащена технологическим оборудованием для работы с пластинами кремния, карбида кремния и сапфира (Al₂O₃) диаметром 100, 150 и 200 мм, также возможна обработка фрагментов пластин и отдельных кристаллов.

Имеющиеся технологические процессы:

- нанесение тонких единичных металлических пленок методом электронно-лучевого напыления (Ti, Al, Ni, NiCr, Mo, Ta, V, Cu), многослойных пленок с вариацией металлов до 6 штук;
- нанесение тонких пленок магнетронным распылением (Ti, Al, Ni, V, VO_x, TiN);
- плазмохимическое осаждение тонких диэлектрических пленок (SiO₂, SiO_x, Si₃N₄, a-Si) при температуре до 400 ºС;
- плазмохимическое травление металлических и диэлектрических тонких пленок в хлорсодержащих и фторсодержащих средах;
- быстрая термическая обработка подложек (температура нагрева 250-1450 °С, скорость нагрева, 10-150 °С/сек, среда: Ar, O₂, N₂, H₂N₂);
- нанесение, проявление и сушка фоторезистов (позитивных и негативных), нанесение полиимида;
- электрохимическое осаждение пленок Ni и Cu.

Проведение измерений характеристик пленок на пластинах диаметром до 200 мм:

- измерение поверхностного сопротивления и ТКС (до 150 ºС) тонких пленок; <
- измерение толщины и оптических характеристик (n, k и др.) тонких пленок методом спектральной эллипсометрии в спектральном диапазоне 450-1000 нм;
- измерение толщины тонких прозрачных диэлектрических пленок (SiO₂, SiO_x, Si₃N₄, a-Si и др.) методом спектральной рефлектометрии;
- измерение плоскостности полупроводниковых пластин;
> - измерение остаточных механических напряжений тонких пленок на полупроводниковых пластинах.

Для консультаций: 

Тел. 271 57 73

VKozlovski@Integral.by

ОАО "ИНТЕГРАЛ" также предлагает изготовление ИМС и полупроводниковых приборов на основе конструкции Заказчика (поставка по результатам функционального контроля), услуги полупроводникового производства - выполнение отдельных технологических операций или блоков операций (напыление металлов, осаждение пленок, выращивание эпитаксиальных слоёв, утонение обратной стороны пластины и т. п.), изготовление исходных кремниевых подложек по спецификации Заказчика, сборка и измерение приборов в пластмассовых и металлокерамических корпусах.