IZ40N60**
IZ40N60**
Функциональное назначение:
N – канальный транзистор 600 В; 0,16 Ом – 40 А
Тип корпуса:
б/к
Похожие товары
* - возможна поставка с маркировкой INZ44N
** - поставка бескорпусных транзисторов при обёме заказа более 1000 шт.
Мощные N-канальные полевые с изолированным затвором транзисторы (MOSFET) (справочные данные)
| Обозначение | Прототип | Функциональное назначение | Тип корпуса | ||
|---|---|---|---|---|---|
| IFP50N06* | WFP50N06 | N – канальный транзистор 60 В; 0,022 Ом – 50 А | TO-220/3 |
||
| IZ70N06** | N – канальный транзистор 60 В; 0,015 Ом – 70 А | б/к | |||
| IZ85N06** | N – канальный транзистор 60 В; 0,012 Ом – 85 А | б/к | |||
| IZ75N75** | N – канальный транзистор 75 В; 0,017 Ом – 75 А | б/к | |||
| IFP75N08 | WFP75N08 | N – канальный транзистор 80 В; 0,015 Ом – 75 А | TO-220/3 |
||
| IZ630** | N – канальный транзистор 200 В; 0,400 Ом – 9 А | б/к | |||
| IZ640** | N – канальный транзистор 200 В; 0,180 Ом – 18 А | б/к | |||
| IZ634** | N – канальный транзистор 250 В; 0,450 Ом – 8 А | б/к | |||
| IFP730 | WFP730 | N – канальный транзистор 400 В; 0,950 Ом – 6 А | TO-220/3 |
||
| IFP740 | WFP740 | N – канальный транзистор 400 В; 0,550 Ом – 10 А | TO-220/3 |
||
| IFP830 | WFP830 | N – канальный транзистор 500 В; 1,400 Ом – 5 А | TO-220/3 |
||
| IFP840 | WFP840 | N – канальный транзистор 500 В; 0,850 Ом – 8 А | TO-220/3 |
||
| IZ13N50** | N – канальный транзистор 500 В; 0,490 Ом – 13 А | б/к | |||
| IZ20N50** | N – канальный транзистор 500 В; 0,260 Ом – 20 А | б/к | |||
| IZ50N50** | N – канальный транзистор 500 В; 0,120 Ом – 50 А | б/к | |||
| IFP1N60 | WFP1N60 | N – канальный транзистор 600 В; 12,000 Ом – 1 А | TO-220/3 |
||
| IFU1N60 | WFU1N60 | N – канальный транзистор 600 В; 12,000 Ом – 1 А | I-PAK |
||
| IFD1N60 | WFD1N60 | N – канальный транзистор 600 В; 12,000 Ом – 1 А | D-PAK |
||
| IFU2N60 | WFU2N60 | N – канальный транзистор 600 В; 5,0 Ом –2 А | I-PAK |
||
| IFD2N60 | WFD2N60 | N – канальный транзистор 600 В; 5,0 Ом –2 А | D-PAK |
||
| IFP2N60 | STP2NC60 | N – канальный транзистор 600 В; 5,0 Ом – 2 А | TO-220/3 |
||
| IFF2N60 | WFF2N60 | N – канальный транзистор 600 В; 5,0 Ом – 2 А | TO-220FP | ||
| IFP4N60 | STP4NC60 | N – канальный транзистор 600 В; 2,5 Ом – 4,0 А | TO-220/3 |
||
| IFF4N60 | WFF4N60 | N – канальный транзистор 600 В; 2,5 Ом – 4,0 А | TO-220FP | ||
| IFP7N60 | WFP7N60 | N – канальный транзистор 600 В; 1,2 Ом – 7 А | TO-220/3 |
||
| IZ10N60** | N – канальный транзистор 600 В; 0,8 Ом – 10 А | б/к | |||
| IZ12N60** | N – канальный транзистор 600 В; 0,7 Ом – 12 А | б/к | |||
| IZ20N60** | N – канальный транзистор 600 В; 0,32 Ом – 20 А | б/к | |||
| IZ24N60** | N – канальный транзистор 600 В; 0,26 Ом – 24 А | б/к | |||
| IZ28N60** | N – канальный транзистор 600 В; 0,24 Ом – 28 А | б/к | |||
| IZ1N65** | N – канальный транзистор 650 В; 13,0 Ом – 1 А | б/к | |||
| IZ2N65** | N – канальный транзистор 650 В; 5,5 Ом – 2 А | б/к | |||
| IZ4N65** | N – канальный транзистор 650 В; 2,7 Ом – 4 А | б/к | |||
| IZ7N65** | N – канальный транзистор 650 В; 1,3 Ом – 7 А | б/к | |||
| IZ10N65** | N – канальный транзистор 650 В; 0,85 Ом – 10 А | б/к | |||
| IZ12N65** | N – канальный транзистор 650 В; 0,8 Ом – 12 А | б/к | |||
| IFP1N80 | WFP1N80 | N – канальный транзистор 800 В; 18,0 Ом – 1 А | TO-220/3 | ||
| IFU1N80 | WFU1N80 | N – канальный транзистор 800 В; 18,0 Ом – 1 А | I-PAK |
||
| IFD1N80 | WFD1N80 | N - канальный транзистор 800 В; 18,0 Ом - 1 А | D-PAK | ||
| IZ3N80** | N – канальный транзистор 800 В; 5,0 Ом – 3 А | б/к | |||
| IZ10N80** | N – канальный транзистор 800 В; 1,1 Ом – 10 А | б/к | |||
| IZ9N90** | N – канальный транзистор 900 В; 1,4 Ом – 9 А | б/к | |||
| IZ11N90** | N – канальный транзистор 900 В; 1,1 Ом – 11 А | б/к | |||
| IWP5NK80Z | STP5NK80Z | N – канальный транзистор 800 В; 2,4 Ом – 4,3 А | TO-220/3 | ||
| IZ024N | IRFU024N | N – канальный транзистор 55 В; 0,075 Ом - 17 А | б/к |
