IZ40N60**

IZ40N60**

Функциональное назначение: 
N – канальный транзистор 600 В; 0,16 Ом – 40 А
Тип корпуса: 

б/к

Похожие товары

* - возможна поставка с маркировкой INZ44N

** - поставка бескорпусных транзисторов при обёме заказа более 1000 шт.

Мощные N-канальные полевые с изолированным затвором транзисторы (MOSFET) (справочные данные)

Обозначение Прототип Функциональное назначение Тип корпуса PDF
IFP50N06* WFP50N06 N – канальный транзистор 60 В; 0,022 Ом – 50 А

TO-220/3
IZ70N06** N – канальный транзистор 60 В; 0,015 Ом – 70 А б/к
IZ85N06** N – канальный транзистор 60 В; 0,012 Ом – 85 А б/к
IZ75N75** N – канальный транзистор 75 В; 0,017 Ом – 75 А б/к
IFP75N08 WFP75N08 N – канальный транзистор 80 В; 0,015 Ом – 75 А

TO-220/3
IZ630** N – канальный транзистор 200 В; 0,400 Ом – 9 А б/к
IZ640** N – канальный транзистор 200 В; 0,180 Ом – 18 А б/к
IZ634** N – канальный транзистор 250 В; 0,450 Ом – 8 А б/к
IFP730 WFP730 N – канальный транзистор 400 В; 0,950 Ом – 6 А

TO-220/3
IFP740 WFP740 N – канальный транзистор 400 В; 0,550 Ом – 10 А

TO-220/3
IFP830 WFP830 N – канальный транзистор 500 В; 1,400 Ом – 5 А

TO-220/3
IFP840 WFP840 N – канальный транзистор 500 В; 0,850 Ом – 8 А

TO-220/3
IZ13N50** N – канальный транзистор 500 В; 0,490 Ом – 13 А б/к
IZ20N50** N – канальный транзистор 500 В; 0,260 Ом – 20 А б/к
IZ50N50** N – канальный транзистор 500 В; 0,120 Ом – 50 А б/к
IFP1N60 WFP1N60 N – канальный транзистор 600 В; 12,000 Ом – 1 А

TO-220/3
IFU1N60 WFU1N60 N – канальный транзистор 600 В; 12,000 Ом – 1 А

I-PAK
IFD1N60 WFD1N60 N – канальный транзистор 600 В; 12,000 Ом – 1 А

D-PAK
IFU2N60 WFU2N60 N – канальный транзистор 600 В; 5,0 Ом –2 А

I-PAK
IFD2N60 WFD2N60 N – канальный транзистор 600 В; 5,0 Ом –2 А

D-PAK
IFP2N60 STP2NC60 N – канальный транзистор 600 В; 5,0 Ом – 2 А

TO-220/3
IFF2N60 WFF2N60 N – канальный транзистор 600 В; 5,0 Ом – 2 А TO-220FP
IFP4N60 STP4NC60 N – канальный транзистор 600 В; 2,5 Ом – 4,0 А

TO-220/3
IFF4N60 WFF4N60 N – канальный транзистор 600 В; 2,5 Ом – 4,0 А TO-220FP
IFP7N60 WFP7N60 N – канальный транзистор 600 В; 1,2 Ом – 7 А

TO-220/3
IZ10N60** N – канальный транзистор 600 В; 0,8 Ом – 10 А б/к
IZ12N60** N – канальный транзистор 600 В; 0,7 Ом – 12 А б/к
IZ20N60** N – канальный транзистор 600 В; 0,32 Ом – 20 А б/к
IZ24N60** N – канальный транзистор 600 В; 0,26 Ом – 24 А б/к
IZ28N60** N – канальный транзистор 600 В; 0,24 Ом – 28 А б/к
IZ1N65** N – канальный транзистор 650 В; 13,0 Ом – 1 А б/к
IZ2N65** N – канальный транзистор 650 В; 5,5 Ом – 2 А б/к
IZ4N65** N – канальный транзистор 650 В; 2,7 Ом – 4 А б/к
IZ7N65** N – канальный транзистор 650 В; 1,3 Ом – 7 А б/к
IZ10N65** N – канальный транзистор 650 В; 0,85 Ом – 10 А б/к
IZ12N65** N – канальный транзистор 650 В; 0,8 Ом – 12 А б/к
IFP1N80 WFP1N80 N – канальный транзистор 800 В; 18,0 Ом – 1 А TO-220/3
IFU1N80 WFU1N80 N – канальный транзистор 800 В; 18,0 Ом – 1 А

I-PAK
IFD1N80 WFD1N80 N - канальный транзистор 800 В; 18,0 Ом - 1 А D-PAK
IZ3N80** N – канальный транзистор 800 В; 5,0 Ом – 3 А б/к
IZ10N80** N – канальный транзистор 800 В; 1,1 Ом – 10 А б/к
IZ9N90** N – канальный транзистор 900 В; 1,4 Ом – 9 А б/к
IZ11N90** N – канальный транзистор 900 В; 1,1 Ом – 11 А б/к
IWP5NK80Z STP5NK80Z N – канальный транзистор 800 В; 2,4 Ом – 4,3 А TO-220/3
IZ024N IRFU024N N – канальный транзистор 55 В; 0,075 Ом - 17 А б/к