5 В, 3 мкм КМОП, 1 ПКК, 1 металл

Характеристика процесса: 
Количество фотолитографий, шт.         11
Проектные нормы, мкм                       2.0
Подложка:                                  КЭФ 4.5
Глубина N/P-кармана, мкм                   6-8
Подзатворный SiO2, Å                  425/300
Межслойный диэлектрик:                БФСС
Длина канала:NMOS/PMOS, мкм         3-4
шаг ПКК, мкм                                       10
контакты, мкм                                      4*4

шаг металл, мкм                                   10

Применение, элементная база: 
Логические ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 5 В

NMOS: Vtn= 0.8-1.2B, Ic>4мА. Uпр>8 В

PMOS: Vtp= 0.8-1.2B, Ic>2мА, Uпр>8В