5 В, 1.5 мкм КМОП,1 ПКК, 1 Металл, ПКК- резисторы пл. 150 мм

Характеристика процесса: 
Количество фотолитографий, шт.           17
Проектная норма, мкм                          1.5
Подложка:                     КДБ12, 2 кармана
Глубина N/P-кармана, мкм                    5/6
ПKK резисторы Р-типа
Биполярный вертикальный NPNтранзистор
Подзатворный SiO2, Å                         250
Межслойный диэлек трик:   БФСС
длина канала NMOS/PMOS, мкм          1.7
N и P LDD- стоки
шаг ПКК, мкм                                      2.5
контакты, мкм                                    ø 1.3

шаг по металлу, мкм                             3.5

Применение, элементная база: 
Схемы контроллеров напряжения питания
NMOS:
Vtn= 0.5 B , Usd >10 В
PMOS:
Vtp= 0.5 B, Usd >10 В