5 В, 1.5 мкм КМОП, 1 ПКК,1 металл. пл. 150 мм

Характеристика процесса: 
Количество фотолитографий, шт.          16
Проектная норма, мкм                           1.5
Подложка:        КДБ12,   2 кармана
Глубина N/P-кармана, мкм                     5/6
Межслойный диэлектрик:   БФСС
Подзатворный SiO2, Å                           250
Межслойный диэлектрик:   БФСС
Встроенные транзисторы в ПЗУ
Скрытые контакты
длина канала NMOS/PMOS, мкм       1.5
N и P LDD- стоки
шаг ПКК, мкм                                   2.5
контакты, мкм                                ø 1.5
шаг по металлу, мкм                         3.5
Применение, элементная база: 
Цифровые ИМС. микроконтроллеры с Епит=5 В
NMOS: Vtn= 0.6 В, Usd >10 В
PMOS: Vtр= 1.0В, Usd >13 B