3-5 В, 0.8 мкм КМОП, 1 ПКК (2ПКК),2 металла пл. 200 мм

Характеристика процесса: 

Кол-во фотолитографий, шт.    14 (16)

Проектная норма, мкм                  0.8
Подложка:           КЭФ4.5 или КДБ12
2 кармана
Глубина N/ P карманов, мкм          4/4
Межслойный диэлектрик:
SACVD SiO2 + ПХ ТЭОС, мкм       1,05
Подзатворный SiO2, Å           130 / 160
длина канала
NMOS/PMOS, мкм                   0.9/1.0
N и P  LDD- стоки
металл I                       Ti/AlCu / Ti /TiN
шаг ПКК, мкм                                 1.9
контакты 1 (заполнены W), мкм       0.7
шаг по металлу 1, мкм                    2.2
металл 2                                  /Ti/AlCu
контакты 2 (заполнены W), мкмø      0.7

шаг по металлу 2, мкм                    2.4

Применение, элементная база: 
ИМС для телефонии, заказные ИМС с  Uпит от 3 до 5 В
 NMOS: Vtn=0.6 В, Usd >10 В
PMOS: Vtр=-0.7 В, Usd >10 B