3-5 В, 0.8 мкм КМОП, 1 ПКК (2ПКК),2 металла пл. 150 мм

Характеристика процесса: 
Кол-во фотолитографий, шт.          14 (16)
Проектная норма, мкм                        0.8
Подложка: КЭФ4.5 или КДБ12, 2 кармана
Глубина N/ P карманов, мкм               4/4
Межслойный диэлектрик:   БФСС
Подзатворный SiO2, Å               130 / 160
длина канала NMOS/PMOS, мкм   0.9/1.0
N и P LDD- стоки
металл I                            Ti-TiN/Al-Si/TiN
шаг ПКК, мкм                                     1.9
контакты 1, мкм                               ø 0.9
шаг по металлу 1, мкм                        2.2
металл 2                                    Al-Si/TiN
контакты 2, мкм                             ø   0.9
шаг по металлу 2, мкм                        2.4
Применение, элементная база: 
ИС для телефонии, заказные ИС с Eпит. от 3 В до 5 В
 NMOS: 
Vtn=0.6 В, Usd >10 В
PMOS: 
Vtр=-0.7 В, Usd >10 B