1.5 В, 3.0 мкм КМОП, 1 ПКК,1 металл, несамосовмещенный затвор

Характеристика процесса: 
Количество фотолитографий, шт.            9
Проектные нормы, мкм                3,0 – 5,0
Подложка:                                          КЭФ4.5
Глубина P-кармана, мкм                        6-8
Подзатворный SiO2, Å                            800
Межслойный диэлектрик – СTФСС
Длина канала: NMOS/PMOS, мкм             3
шаг ПКК, мкм                                           10
контакты, мкм                                            5

шаг по металлу, мкм                                12

Применение, элементная база: 
Часовые ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 1.5В.
NMOS:
Vtn= 0.7/0.5 B , Usd >8 В, Ic>4мА
PMOS:
Vtp= -0.7 B/-0.5, Usd >8 В, Ic>2мА