1.5 В, 1.6 мкм КМОП, 1 ПКК,1 металл, низкопороговый пл. 150 мм

Характеристика процесса: 
Количество фотолитографий, шт.       11
Проектная норма, мкм                      1.6
Подложка:            КДБ12, 2 кармана
Глубина N/P-кармана, мкм               5/6
Подзатворный SiO2, Å                     300
Межслойный диэлектрик – БФСС
Длина канала: NMOS/PMOS, мкм     2.0
шаг ПКК, мкм                                    3.2
контакты, мкм                                 ø 1.5
шаг металла, мкм                              3.6
Применение, элементная база: 
Цифровые ИМС средней степени интеграции для ЭНЧ и микрокалькуляторов 
Eпит от 1.5 В до 3 В.
 NMOS: Vtn= 0.5 B , Usd >10 В
PMOS: Vtp= -0.5 B, Usd >10 В