1.2 мкм КМОП ППЗУ, 2ПКК, 2Ме,Пережигаемая перемычка

Характеристика процесса: 
Количество фотолитографий, шт.       11
Проектные нормы, мкм                     1.2
Подложка:                                  КДБ12
Глубина N/P-кармана, мкм               5/6
Подзатворный SiO2, Å               250-300
Межслойный диэлектрик:             БФСС
Длина канала:NMOS/PMOS, мкм       2.0
контакты, мкм                              2.0х2.0
шаг металл 1, мкм                                8
шаг металл 2, мкм                              10
Применение, элементная база: 
КМОП БМК
NMOS: Vtn=1.0B, Ic>10мА. Uпр>12 В
PMOS: Vtp= 1.0B, Ic>4.0мА, Uпр>12В