1.2 мкм КМОП, 1ПКК, 2Ме

Характеристика процесса: 
Количество фотолитографий, шт.          11
Проектные нормы, мкм                        1.2
Подложка:                                     КДБ12
Глубина N/P-кармана, мкм                   5/6
Подзатворный SiO2, Å                   250-300
Межслойный диэлектрик: БФСС
Длина канала: NMOS/PMOS, мкм    1.4/1.6
шаг ПКК, мкм                                    2.8
контакты, мкм                                 1.6х1.6
шаг металл 1, мкм                                 3.4

шаг металл 2, мкм                                 3.0

Применение, элементная база: 
КМОП БМК
NMOS: Vtn= 0.7B, Ic>11.5мА. Uпр>12 В
PMOS: Vtp= 0.8B, Ic>4.5мА, Uпр>12В