• Uсс=4,5…5,5 В
•  Iсс £ 1мА
•  ЭСППЗУ (624 бит) и масочное ПЗУ (16 бит)
•  Наличие блока аутентификации; наличие блока защиты от прерванной записи
•  Более 100000 циклов записи/стирания
• Хранение информации не менее 10 лет

5

• Напряжение 5В±10%
• 1024х8-организация ЭСППЗУ
• байт – ориентированная адресация
•  Защита записи памяти
• 1024х1 бит организация памяти защиты
•  ответ на сброс
• Не менее 10000 циклов записи/стирания
• ток потребления не более 10мА
• время программирования ячеек ЭСППЗУ  не менее 5мс
• Расположение контактных площадок и последовательный интерфейс в соответствии со стандартом ISO 7816
• Данные в памяти могут быть изменены только после ввода правильного 2- байтного программируемого секретного кода (ПСК)

5

• Напряжение питания 5,0 В±5%
• Ток потребления не более 1мА
• 256х8 – организация ЭСППЗУ
• Байт – ориентированная адресация
• Защита записи первых 32 байт
• 32 бита памяти защиты
• Двухпроводный 12С протокол обмена
• Ответ на сброс по стандарту ISO 7816-3
• Время программирования 2,5 мс на байт (для стирания и записи)
• Не менее 10000 циклов стирания/записи
• Время хранения информации – 10лет
• Конфигурация контактных площадок и 12С – последовательный интерфейс в соответствии со стандартом ISO 7816
• Данные могут быть изменены только после ввода правильного 3 байтового программируемого секретного кода (ПСК)

5

Напряжение питания 2,8 – 6,0 В
Уникальный код 64 бита

2

• Напряжение питания 2,8 - 6,0 В
• Уникальный код 64 бита
• 3 блока памяти по 384 бита
• Блокнотная память 512 бит

2

Напряжение питания 2,8 – 6,0 В
Уникальный код 64 бита
3 блока памяти по 384 бита
Блокнотная память 512 бит

2

Напряжение питания 2,8 – 6,0 В
Программируемый пользователем код 64 бит
Бит защиты от перезаписи

2

• ПЗУ 64 бит
• Блок SHA 512 бит
• Блокнот 64 бит
• Память секретного кода 64 бит
• Память данных EEPROM 1024 бит
• Страница регистров 64 бит
• Генератор CRC16

2