Полевые Р ДМОП транзисторы

Характеристика процесса: 
Кол-во фотолитографий, шт.                  7-9
Средняя проектная норма, мкм              3.0
Подложка:                                    КДБ 0,005
эпитаксиальный слой:
толщина                                       15–34 мкм
удельное сопротивление –    (2-21) Ом x см
подзатворный окисел, нм                42,5-80

Межслойный диэлектрик –            СТФСС
Пассивация:                                       НТФСС

Применение, элементная база: 
MOSFET
Маломощные     Мощные
Vtn=0,8–2,0 В       Vtn=2,0–4,0 В
Uпр= 50–240 В    Uпр= 60–100В
Pmax=1,0 Вт          Pmax=150 Вт