Полевые N ДМОП транзисторы

Характеристика процесса: 
Кол-во фотолитографий, шт.                     7-9
Средняя проектная норма, мкм             3.0
Подложка:                                     КЭС 0,01
эпитаксиальный слой:
толщина                                        9-42 мкм
удельное сопротивление – (0,7-16) Омxсм
подзатворный окисел, нм                 42,5-80
Межслойный диэлектрик –                СТФСС

Пассивация:                                           НТФСС

Применение, элементная база: 
MOSFET
Маломощные     Мощные
Vtn=0,6–3,0 В       Vtn=2,0–4,0 В
Uпр= 50–200 В    Uпр= 50–600В
Pmax=1,0 Вт          Pmax=200 Вт