Полевые N ДМОП транзисторы
Характеристика процесса:
Кол-во фотолитографий, шт. 7-9
Средняя проектная норма, мкм 3.0
Подложка: КЭС 0,01
эпитаксиальный слой:
толщина 9-42 мкм
удельное сопротивление – (0,7-16) Омxсм
подзатворный окисел, нм 42,5-80
Межслойный диэлектрик – СТФСС
Пассивация: НТФСС
Применение, элементная база:
MOSFET
Маломощные Мощные
Vtn=0,6–3,0 В Vtn=2,0–4,0 В
Uпр= 50–200 В Uпр= 50–600В
Uпр= 50–200 В Uпр= 50–600В
Pmax=1,0 Вт Pmax=200 Вт