Мощные полевые МОП транзисторы,Uмакс= 60-900 В пл. 150 мм

Характеристика процесса: 
Кол-во фотолитографий, шт.                           8
Средняя проектная норма, мкм                2.0
Подложка:                    КЭС 0,015 / КЭМ 0,003
эпитаксиальный слой:
толщина –                                           (8-75) мкм
удельное сопротивление – (0,67-31,5)
Ом*см
подзатворный окисел                   (60-100) нм
Межслойный диэлектрик –        СТО + БФСС
Пассивация                                ПХО+ПХ SI3N4
Применение, элементная база: 
MOSFET
NMOS: Vtn=2÷4 В 
Uмакс= 60÷900 В