Мощные N-канальные полевые транзисторы (MOSFET)

Продукция

Интегральные микросхемы

Полупроводниковые приборы

Средства отображения информации

Изделия электронной техники

Контакты по разделу Продукция

Фаундри

Основные направления деятельности

Техн. поддержка

Типы корпусов

Услуги

Главная

Продукция

Полупроводниковые приборы

Мощные N-канальные полевые транзисторы (MOSFET)

* освоение

Обозначение

Функциональное назначение

Тип корпуса

PDF

IFP50N06

Мощный N – канальный полевой транзистор 60 В; 0,022 Ом – 50 А

TO-220/3

[176.7 Kb]

IFP70N06*

Мощный N – канальный полевой транзистор 60 В; 0,015 Ом – 70 А

TO-220/3

IFP85N06*

Мощный N – канальный полевой транзистор 60 В; 0,012 Ом – 85 А

TO-220/3

IFP75N75*

Мощный N – канальный полевой транзистор 75 В; 0,017 Ом – 75 А

TO-220/3

IFP75N08

Мощный N – канальный полевой транзистор 80 В; 0,015 Ом – 75 А

TO-220/3

[176.6 Kb]

IFP630*

Мощный N – канальный полевой транзистор 200 В; 0,400 Ом – 9 А

TO-220/3

IFF630*

Мощный N – канальный полевой транзистор 200 В; 0,400 Ом – 9 А

TO-220FP

IFP640*

Мощный N – канальный полевой транзистор 200 В; 0,180 Ом – 18 А

TO-220/3

IFF640*

Мощный N – канальный полевой транзистор 200 В; 0,180 Ом – 18 А

TO-220FP

IFP634*

Мощный N – канальный полевой транзистор 250 В; 0,450 Ом – 8 А

TO-220/3

IFF634*

Мощный N – канальный полевой транзистор 250 В; 0,450 Ом – 8 А

TO-220FP

IFP730

Мощный N – канальный полевой транзистор 400 В; 0,950 Ом – 6 А

TO-220/3

[176.9 Kb]

IFF730*

Мощный N – канальный полевой транзистор 400 В; 0,950 Ом – 6 А

TO-220FP

IFP740

Мощный N – канальный полевой транзистор 400 В; 0,550 Ом – 10 А

TO-220/3

[176.7 Kb]

IFF740*

Мощный N – канальный полевой транзистор 400 В; 0,550 Ом – 10 А

TO-220FP

IFP830

Мощный N – канальный полевой транзистор 500 В;1,400 Ом – 5 А

TO-220/3

[176.9 Kb]

IFF830*

Мощный N – канальный полевой транзистор 500 В;1,400 Ом – 5 А

TO-220FP

IFP840

Мощный N – канальный полевой транзистор 500 В; 0,850 Ом – 8 А

TO-220/3

[176.7 Kb]

IFF840*

Мощный N – канальный полевой транзистор 500 В; 0,850 Ом – 8 А

TO-220FP

IFP13N50*

Мощный N – канальный полевой транзистор 500 В; 0,490 Ом – 13 А

TO-220/3

IFW20N50*

Мощный N – канальный полевой транзистор 500 В; 0,260 Ом – 20 А

TO-247

IFL50N50*

Мощный N – канальный полевой транзистор 500 В; 0,120 Ом – 50 А

TO-265

IFP1N60

Мощный N – канальный полевой транзистор 600 В; 12,000 Ом – 1 А

TO-220/3

[223.6 Kb]

IFU1N60*

Мощный N – канальный полевой транзистор 600 В; 12,000 Ом – 1 А

TO-251

[223.6 Kb]

IFD1N60*

Мощный N – канальный полевой транзистор 600 В; 12,000 Ом – 1 А

TO-252

[223.6 Kb]

IFU2N60*

Мощный N – канальный полевой транзистор 600 В; 5,0 Ом –2 А

TO-251

[223.8 Kb]

IFD2N60*

Мощный N – канальный полевой транзистор 600 В; 5,0 Ом –2 А

TO-252

[223.8 Kb]

IFP2N60

Мощный N – канальный полевой транзистор 600 В; 5,0 Ом – 2 А

TO-220/3

[223.8 Kb]

IFF2N60

Мощный N – канальный полевой транзистор 600 В; 5,0 Ом – 2 А

TO-220FP

IFP4N60

Мощный N – канальный полевой транзистор 600 В; 2,5 Ом – 4,0 А

TO-220/3

IFF4N60

Мощный N – канальный полевой транзистор 600 В; 2,5 Ом – 4,0 А

TO-220FP

IFP7N60

Мощный N – канальный полевой транзистор 600 В; 1,2 Ом – 7 А

TO-220/3

[176.8 Kb]

IFF7N60*

Мощный N – канальный полевой транзистор 600 В; 1,2 Ом – 7 А

TO-220FP

IFP10N60*

Мощный N – канальный полевой транзистор 600 В; 0,8 Ом – 10 А

TO-220/3

IFF10N60*

Мощный N – канальный полевой транзистор 600 В; 0,8 Ом – 10 А

TO-220FP

IFP12N60*

Мощный N – канальный полевой транзистор 600 В; 0,7 Ом – 12 А

TO-220/3

IFF12N60*

Мощный N – канальный полевой транзистор 600 В; 0,7 Ом – 12 А

TO-220FP

IFW20N60*

Мощный N – канальный полевой транзистор 600 В; 0,32 Ом – 20 А

TO-247

IFW24N60*

Мощный N – канальный полевой транзистор 600 В; 0,26 Ом – 24 А

TO-247

IFW28N60*

Мощный N – канальный полевой транзистор 600 В; 0,24 Ом – 28 А

TO-247

IFL40N60*

Мощный N – канальный полевой транзистор 600 В; 0,16 Ом – 40 А

TO-263

IFU1N65*

Мощный N – канальный полевой транзистор 650 В; 13,0 Ом – 1 А

TO-251

IFD1N65*

Мощный N – канальный полевой транзистор 650 В; 13,0 Ом – 1 А

TO-252

IFU2N65*

Мощный N – канальный полевой транзистор 650 В; 5,5 Ом – 2 А

TO-251

IFP2N65*

Мощный N – канальный полевой транзистор 650 В; 5,5 Ом – 2 А

TO-220/3

IFF2N65*

Мощный N – канальный полевой транзистор 650 В; 5,5 Ом – 2 А

TO-220FP

IFP4N65*

Мощный N – канальный полевой транзистор 650 В; 2,7 Ом – 4 А

TO-220/3

IFF4N65*

Мощный N – канальный полевой транзистор 650 В; 2,7 Ом – 4 А

TO-220FP

IFP7N65*

Мощный N – канальный полевой транзистор 650 В; 1,3 Ом – 7 А

TO-220/3

IFF7N65*

Мощный N – канальный полевой транзистор 650 В; 1,3 Ом – 7 А

TO-220FP

IFP10N65*

Мощный N – канальный полевой транзистор 650 В; 0,85 Ом – 10 А

TO-220/3

IFF10N65*

Мощный N – канальный полевой транзистор 650 В; 0,85 Ом – 10 А

TO-220FP

IFF12N65*

Мощный N – канальный полевой транзистор 650 В; 0,8 Ом – 12 А

TO-220/3

IFF12N65*

Мощный N – канальный полевой транзистор 650 В; 0,8 Ом – 12 А

TO-220FP

IFP1N80

Мощный N – канальный полевой транзистор 800 В; 18,0 Ом – 1 А

TO-220/3

[223.9 Kb]

IFU1N80*

Мощный N – канальный полевой транзистор 800 В; 18,0 Ом – 1 А

TO-251

[223.9 Kb]

IFF3N80*

Мощный N – канальный полевой транзистор 800 В; 5,0 Ом – 3 А

TO-220FP

IFW10N80*

Мощный N – канальный полевой транзистор 800 В; 1,1 Ом – 10 А

TO-247

IFW9N90*

Мощный N – канальный полевой транзистор 900 В; 1,4 Ом – 9 А

TO-247

IFW11N90*

Мощный N – канальный полевой транзистор 900 В; 1,1 Ом – 11 А

TO-247

IWP5NK80

Мощный N – канальный полевой транзистор 800 В; 2,4 Ом – 4,3 А

TO-220/3

IZ024N

Мощный N – канальный полевой транзистор 55 В; 0,075 Ом - 17 А

Б/к

наверх

НПО "ИНТЕГРАЛ", пл. Казинца, 1, г. Минск, 220108, Республика Беларусь, факс:(+375 17) 2781 622. Схема проезда
Управление по сбыту - Телефон:(+375 17) 2122 021, Телефакс:(+375 17) 2121 513, E-mail: dzus@integral.by
Управление маркетинга - Телефон:(+375 17) 2121 810, Телефакс:(+375 17) 2122 031, E-mail: dzum@integral.by