Печать Карта сайта

Мощные N-канальные полевые транзисторы (MOSFET)

Главная / Продукция / Полупроводниковые приборы

* освоение

ОбозначениеФункциональное назначениеТип корпуса PDF
IFP50N06Мощный N – канальный полевой с изолированным затвором транзистор 60 В; 0,023 Ом – 50 АTO-220АВ/3 [176.7 Kb]
IFP70N06*Мощный N – канальный полевой транзистор 60 В; 0,015 Ом – 70 АTO-220/3  
IFP85N06*Мощный N – канальный полевой транзистор 60 В; 0,012 Ом – 85 АTO-220/3  
IFP75N75*Мощный N – канальный полевой транзистор 75 В; 0,017 Ом – 75 АTO-220/3  
IFP75N08Мощный N – канальный полевой транзистор 80 В; 0,015 Ом – 75 АTO-220АВ/3 [176.6 Kb]
IFP630*Мощный N – канальный полевой транзистор 200 В; 0,400 Ом – 9 АTO-220/3  
IFF630*Мощный N – канальный полевой транзистор 200 В; 0,400 Ом – 9 АTO-220FP  
IFP640*Мощный N – канальный полевой транзистор 200 В; 0,180 Ом – 18 АTO-220/3  
IFF640*Мощный N – канальный полевой транзистор 200 В; 0,180 Ом – 18 АTO-220FP  
IFP634*Мощный N – канальный полевой транзистор 250 В; 0,450 Ом – 8 АTO-220/3  
IFF634*Мощный N – канальный полевой транзистор 250 В; 0,450 Ом – 8 АTO-220FP  
IFP730Мощный N – канальный полевой транзистор 400 В; 0,950 Ом – 6 АTO-220АВ/3 [176.9 Kb]
IFP740Мощный N – канальный полевой транзистор 400 В; 0,550 Ом – 10 АTO-220АВ/3 [176.7 Kb]
IFP830Мощный N – канальный полевой транзистор 500 В; 1,400 Ом – 5 АTO-220АВ/3 [176.9 Kb]
IFP840Мощный N – канальный полевой транзистор 500 В; 0,850 Ом – 8 АTO-220АВ/3 [176.7 Kb]
IFP13N50*Мощный N – канальный полевой транзистор 500 В; 0,490 Ом – 13 АTO-220/3  
IFW20N50*Мощный N – канальный полевой транзистор 500 В; 0,260 Ом – 20 АTO-247  
IFL50N50*Мощный N – канальный полевой транзистор 500 В; 0,120 Ом – 50 АTO-265  
IFP1N60Мощный N – канальный полевой с изолированным затвором транзистор 600 В; 12,000 Ом – 0,9 АTO-220АВ/3 [223.6 Kb]
IFU1N60Мощный N – канальный полевой с изолированным затвором транзистор 600 В; 12,000 Ом – 0,9 АTO-251 [223.6 Kb]
IFD1N60Мощный N – канальный полевой с изолированным затвором транзистор 600 В; 12,000 Ом – 0,9 АTO-252 [223.6 Kb]
IFU2N60Мощный N – канальный полевой с изолиронным затвором транзистор 600 В; 5,0 Ом –1,8 АTO-251 [223.8 Kb]
IFD2N60Мощный N – канальный полевой с изолированным затвором транзистор 600 В; 5,0 Ом –1,8 АTO-252 [223.8 Kb]
IFP2N60Мощный N – канальный полевой с изолированным затвором транзистор 600 В; 5,0 Ом – 1,8 АTO-220АВ/3 [223.8 Kb]
IFF2N60Мощный N – канальный полевой с изолированным затвором транзистор 600 В; 5,0 Ом – 1,8 АTO-220FP  
IFP4N60Мощный N – канальный полевой транзистор 600 В; 2,5 Ом – 4,0 АTO-220АВ/3  
IFF4N60Мощный N – канальный полевой транзистор 600 В; 2,5 Ом – 4,0 АTO-220FP  
IFP7N60Мощный N – канальный полевой с изолированным затвором транзистор 600 В; 1,2 Ом – 7 АTO-220АВ/3 [176.8 Kb]
IFP10N60*Мощный N – канальный полевой транзистор 600 В; 0,8 Ом – 10 АTO-220/3  
IFF10N60*Мощный N – канальный полевой транзистор 600 В; 0,8 Ом – 10 АTO-220FP  
IFP12N60*Мощный N – канальный полевой транзистор 600 В; 0,7 Ом – 12 АTO-220/3  
IFF12N60*Мощный N – канальный полевой транзистор 600 В; 0,7 Ом – 12 АTO-220FP  
IFW20N60*Мощный N – канальный полевой транзистор 600 В; 0,32 Ом – 20 АTO-247  
IFW24N60*Мощный N – канальный полевой транзистор 600 В; 0,26 Ом – 24 АTO-247  
IFW28N60*Мощный N – канальный полевой транзистор 600 В; 0,24 Ом – 28 АTO-247  
IFL40N60*Мощный N – канальный полевой транзистор 600 В; 0,16 Ом – 40 АTO-263  
IFU1N65*Мощный N – канальный полевой транзистор 650 В; 13,0 Ом – 1 АTO-251  
IFD1N65*Мощный N – канальный полевой транзистор 650 В; 13,0 Ом – 1 АTO-252  
IFU2N65*Мощный N – канальный полевой транзистор 650 В; 5,5 Ом – 2 АTO-251  
IFD2N65*Мощный N - канальный полевой транзистор 650 В; 5,5 Ом - 2 АТО-252  
IFP2N65*Мощный N – канальный полевой транзистор 650 В; 5,5 Ом – 2 АTO-220/3  
IFF2N65*Мощный N – канальный полевой транзистор 650 В; 5,5 Ом – 2 АTO-220FP  
IFP4N65*Мощный N – канальный полевой транзистор 650 В; 2,7 Ом – 4 АTO-220/3  
IFF4N65*Мощный N – канальный полевой транзистор 650 В; 2,7 Ом – 4 АTO-220FP  
IFP7N65*Мощный N – канальный полевой транзистор 650 В; 1,3 Ом – 7 АTO-220/3  
IFF7N65*Мощный N – канальный полевой транзистор 650 В; 1,3 Ом – 7 АTO-220FP  
IFP10N65*Мощный N – канальный полевой транзистор 650 В; 0,85 Ом – 10 АTO-220/3  
IFF10N65*Мощный N – канальный полевой транзистор 650 В; 0,85 Ом – 10 АTO-220FP  
IFF12N65*Мощный N – канальный полевой транзистор 650 В; 0,8 Ом – 12 АTO-220/3  
IFF12N65*Мощный N – канальный полевой транзистор 650 В; 0,8 Ом – 12 АTO-220FP  
IFP1N80Мощный N – канальный полевой с изолированным затвором транзистор 800 В; 18,0 Ом – 1,2 АTO-220АВ/3 [223.9 Kb]
IFU1N80Мощный N – канальный полевой с изолированным затвором транзистор 800 В; 18,0 Ом – 1,2 АTO-251 [223.9 Kb]
IFD1N80Мощный N - канальный полевой с изолированным затвором транзистор 800 В; 18,0 Ом - 1,2 АТО-252  
IFF3N80*Мощный N – канальный полевой транзистор 800 В; 5,0 Ом – 3 АTO-220FP  
IFW10N80*Мощный N – канальный полевой транзистор 800 В; 1,1 Ом – 10 АTO-247  
IFW9N90*Мощный N – канальный полевой транзистор 900 В; 1,4 Ом – 9 АTO-247  
IFW11N90*Мощный N – канальный полевой транзистор 900 В; 1,1 Ом – 11 АTO-247  
IWP5NK80Мощный N – канальный полевой с изолированным затвором транзистор 800 В; 2,4 Ом – 4,3 АTO-220АВ/3  
IZ024NМощный N – канальный полевой с изолированным затвором транзистор 55 В; 0,075 Ом - 17 АБ/к